Inionline.id – Pada perhelatan Samsung Foundry Forum 2022 di Jerman, Jumat (7/10), Samsung memperkenalkan Memory Roadmap-nya untuk menampilkan alur proses pengembangan chip memori yang bakalan mereka kerjakan.
Dilansir dari ComputerBase dan GizChina, Senin (10/10), Samsung akan memasuki tahap proses 1bnm pada tahun 2023 mendatang dengan kapasitas chip memori mencapai 24Gb (3GB)–32Gb (4GB) dan kecepatan aslinya akan menjadi 6,4-7.2Gbps.
Di samping itu, generasi terbaru memori video GDDR7 akan keluar tahun depan. Facelift jangka menengah dari kartu grafis AMD dan Nvidia generasi baru pun dapat menggunakan memori video GDDR7 ini.
Samsung juga telah membuat beberapa visi jangka panjang berupa rencana meluncurkan memori DDR6 di tahun 2026 dan mencapai kecepatan asli 10Gbps pada tahun 2027. Sebelum itu, Samsung juga telah meluncurkan roadmap memori flash-nya, dengan mengharapkan chip V9 NAND.
Pengembangan V-NAND generasi kesembilan telah diumumkan sebelumnya pada Samsung Tech Day 2022. Menurut jadwal perusahaan, chip ini akan memasuki produksi massal di tahun 2024. Sementara itu, perusahaan menargetkan produksi lebih dari 1.000 lapisan NAND untuk mendukung teknologi intensif data di masa depan. Diumumkan juga bahwa kapasitas 1Tb TLC V-NAND tertinggi di dunia akan tersedia pada akhir tahun ini.
Pada acara tersebut pula, Presiden Samsung Electronics, Jung-bae Lee mengatakan bahwa perusahaan telah menghasilkan total 1 triliun GB memori dalam lebih dari 40 tahun yang setengahnya diproduksi dalam tiga tahun terakhir.
Samsung mengklaim telah memimpin industri DRAM selama 30 tahun dan NAND selama 20 tahun. Mereka juga mengatakan sedang mengejar filosofi pengembangan berorientasi pelanggan untuk lebih memperluas kemitraan ekosistemnya.
